温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC7672
1个N沟道 耐压:30V 电流:16.9A 电流:20A
- 描述
- 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7672
- 商品编号
- C890946
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.89nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
交货周期
订货125-127个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 6000 个)个
起订量：6000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单