FDMC6890NZ
2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- FDMC6890NZ是一种针对DC到DC转换器的紧凑型单封装解决方案，具有出色的热性能和开关特性。 Power 33封装中包含两个N沟道MOSFET，通过低通态电阻和低栅极电荷最大限度地提高功率转换和开关效率。 Q1开关还集成了栅极保护，以免出现非箝位电压输入。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC6890NZ
- 商品编号
- C890939
- 商品封装
- WDFN-6-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128754克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@4.5V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.92W；1.78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
FDMC6890NZ 是一款用于 DC - DC 转换器的紧凑型单封装解决方案，具有出色的热性能和开关特性。Power 33 封装内包含两个 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷，可最大程度提高功率转换和开关效率。Q1 开关还集成了针对非钳位电压输入的栅极保护功能。
商品特性
- Q1：N 沟道
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 4 A 时，最大 rDS(on) = 68 mΩ
- 在 VGS = 2.5 V、ID = 3 A 时，最大 rDS(on) = 100 mΩ
- Q2：N 沟道
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 4 A 时，最大 rDS(on) = 100 mΩ
- 在 VGS = 2.5 V、ID = 2 A 时，最大 rDS(on) = 150 mΩ
- 低栅极电荷
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- DC - DC 转换
- Power 33