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FDMC7660S
耐压:30V 电流:20A
- 描述
- FDMC7660S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7660S
- 商品编号
- C890944
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.26nF |
商品概述
FDMC7660S旨在最大程度减少功率转换应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现最低的导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 2.2 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 2.95 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的导通电阻（rDS(on)）
- 引脚无铅，符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信二次侧整流