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FDMC7208S
2个N沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- 该器件在双Power 33（3 mm × 3 mm MLP）封装中集成了两个30V N沟道MOSFET。该封装经过优化，具备出色的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7208S
- 商品编号
- C890940
- 商品封装
- Power33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.685nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双Power 33（3 mm X 3 mm MLP）封装中集成了两个30V N沟道MOSFET。该封装经过优化，具备出色的热性能。
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A时,最大rDS(on) = 9.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 11 A时,最大rDS(on) = 11.0 mΩ
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 16 A时,最大rDS(on) = 6.4 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 13.5 A时,最大rDS(on) = 7.5 mΩ
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-计算领域-通信领域-通用负载点应用-笔记本电脑系统