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FDMC7660
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（ON Semiconductor）先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻。此器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7660
- 商品编号
- C890943
- 商品封装
- Power33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.83nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为满足蜂窝手机及其他超便携式应用中的双路开关需求而设计，采用单封装解决方案。它具备两个独立的N沟道MOSFET，导通电阻低，可将传导损耗降至最低。MicroFET 2x2封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时,最大rDS(on) = 2.2 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时,最大rDS(on) = 3.3 m Ω
- 采用高性能技术,实现极低的rDS(on)
- 引脚无铅,符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流降压转换器
- 负载点
- 高效负载开关和低端开关