温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC7570S
1个N沟道 耐压:25V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FDMC7570S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，还保持出色的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7570S
- 商品编号
- C890941
- 商品封装
- PQFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V,27A | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.41nF@13V | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF@13V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMC7570S旨在最大程度降低功率转换应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻RDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 27 A时，最大导通电阻RDS(on) = 2 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 21.5 A时，最大导通电阻RDS(on) = 2.9 mΩ
- 先进的封装和组合，实现低导通电阻RDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 100%进行单脉冲雪崩耐量（UIL）测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器-笔记本电脑Vcore/GPU低端开关-网络负载点低端开关-电信次级侧整流