温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC6688P
FDMC6688P
- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC6688P
- 商品编号
- C890938
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺在导通电阻rDS(ON)、开关性能和耐用性方面均经过优化。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -14 A时,最大导通电阻rDS(on) = 6.5 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -11 A时,最大导通电阻rDS(on) = 9.8 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -9 A时,最大导通电阻rDS(on) = 20 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 无铅且符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-电池管理-电源管理-反极性保护