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FDMC6675BZ
耐压:30V 电流:20A
- 描述
- FDMC6675BZ专为最大限度降低负载开关应用中的损耗而设计。它结合了硅技术和封装技术的先进成果，可提供极低的导通电阻RDS(on)和静电放电（ESD）保护。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC6675BZ
- 商品编号
- C890937
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.865nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMC6675BZ旨在最大限度地减少负载开关应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步，以提供最低的导通电阻（RDS(on)）和静电放电（ESD）保护。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -9.5 A时,最大导通电阻(RDS(on)) = 14.4 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -6.9 A时,最大导通电阻(RDS(on)) = 27.0 mΩ
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级典型值为8 kV
- 扩展的栅源电压(VGSS)范围(-25 V),适用于电池应用
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(on))
- 高功率和电流处理能力
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑和服务器中的负载开关
- 笔记本电脑电池组电源管理