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FDMC610P
1个P沟道 耐压:12V 电流:80A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它在低栅极电荷、低ΓDS（导通）、快速开关速度和体二极管反向恢复性能方面进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC610P
- 商品编号
- C890936
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@4.5V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.015nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低导通电阻rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -22 A时，最大导通电阻rDS(on) = 3.9 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -16 A时，最大导通电阻rDS(on) = 6.4 mΩ
- 具备先进的开关性能
- 较低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷可提高效率
- 屏蔽栅技术可减少开关节点振铃，并增强对电磁干扰和交叉导通的抗扰性
- 符合RoHS标准
应用领域
- 高端计算的高端开关
- 高功率密度DC - DC同步降压转换器