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FDMC510P-F106
FDMC510P-F106
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- 描述
- 此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对r
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC510P-F106
- 商品编号
- C890934
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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