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FDMC510P
1个P沟道 耐压:20V 电流:18A
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- 描述
- 此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对r
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC510P
- 商品编号
- C890933
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.11nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的POWERTRENCH®工艺制造，该工艺针对导通电阻rDS(ON)、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -12 A时,最大导通电阻rDS(on) = 8.0 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -10 A时,最大导通电阻rDS(on) = 9.8 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -9.3 A时,最大导通电阻rDS(on) = 13 mΩ
- 在VGS = -1.5 V、ID = -8.3 A时,最大导通电阻rDS(on) = 17 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 广泛使用的表面贴装封装,具备高功率和高电流处理能力
- 典型人体模型(HBM)静电放电(ESD)能力等级 > 2 kV
- 该器件无铅、无卤,符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-负载开关