FDMC4D9P20X8
1个P沟道 耐压:20V 电流:18A 电流:75A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC4D9P20X8
- 商品编号
- C890932
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A；75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W；2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.55nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -18 A条件下,最大导通电阻(rDS(on)) = 4.9 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -9 A条件下,最大导通电阻(rDS(on)) = 16.4 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻(rDS(on))
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 电池管理
- 电源管理
- 反极性保护