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05N30G-AE3-R
1个N沟道 耐压:300V 电流:0.5A
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- 描述
- UTC 05N30是一款N沟道功率MOSFET，采用了UTC的先进技术，可为客户提供极低的导通电阻、低栅极电荷和出色的开关性能。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 05N30G-AE3-R
- 商品编号
- C5310362
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
AGM55N15D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- RDS(ON) \leq 5.0Ω @ VGS = 10V, ID = 0.25A
- 高开关速度
- 100% 雪崩测试
应用领域
-MB/VGA核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器