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11NM65L-TA3-T
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- UTC 11NM65是一款超结MOSFET结构器件。它采用UTC先进的平面条纹DMOS技术，为客户提供出色的开关性能和极低的导通电阻。UTC 11NM65广泛应用于基于半桥拓扑的电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正等领域
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 11NM65L-TA3-T
- 商品编号
- C5310383
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
商品概述
UTC 11NM65 是一款超结 MOSFET 结构器件。它采用 UTC 先进的平面条形 DMOS 技术,为客户提供出色的开关性能和极低的导通电阻。 UTC 11NM65 广泛应用于基于半桥拓扑的电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正等领域。
商品特性
- 当 VGS = 10V、ID = 5.5A 时,RDS(ON) ≤ 0.52Ω
- 采用超结结构
- 开关速度快
- 经过 100% 雪崩测试
应用领域
-基于半桥拓扑的电子灯镇流器-高效开关模式电源-有源功率因数校正