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11NM65L-TA3-T
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- UTC 11NM65是一款超结MOSFET结构器件。它采用UTC先进的平面条纹DMOS技术，为客户提供出色的开关性能和极低的导通电阻。UTC 11NM65广泛应用于基于半桥拓扑的电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正等领域
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 11NM65L-TA3-T
- 商品编号
- C5310383
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET：额定电压1.8 V
- 栅源极静电放电保护
- 高端开关
- 低导通电阻：0.4 Ω（最大值）
- 低阈值：0.7 V（典型值）
- 快速开关速度：10 ns
- 适用于汽车及其他需要SOT - 723封装的应用的S前缀型号
- 易于驱动开关
- 低失调（误差）电压
- 低电压运行
- 高速电路
- 低电池电压运行
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关：手机、寻呼机