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18N50L-TF1-T
500V 18A
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- 描述
- 是N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的平面条纹和DMOS技术,可提供完美的性能。该技术可在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲,能提供最小导通电阻和高开关速度。通常应用于有源功率因数校正和高效开关电源。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 18N50L-TF1-T
- 商品编号
- C5310397
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
UTC 18N50是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用UTC先进的平面条形和DMOS技术,性能卓越。 该技术可承受雪崩和换向模式下的高能脉冲,能提供极小的导通电阻和高开关速度。 该器件通常应用于有源功率因数校正和高效开关模式电源。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 9.0A条件下,RDS(ON) ≤ 0.32 Ω
- 高开关速度
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 有源功率因数校正
- 高效开关模式电源