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3N90L-TN3-R
3A,900V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 3N90L-TN3-R
- 商品编号
- C5310419
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.497克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 455pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
UTC 3N90-C 具备出色的导通电阻 RDS(ON)、低栅极电荷，可在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于脉宽调制（PWM）应用。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 1.5A 条件下，RDS(ON) ≤ 4.8Ω
- 低反向传输电容
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善 dv/dt 能力，高耐用性