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4N50G-TN3-R
1个N沟道 耐压:500V 电流:4A
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- 描述
- UTC 4N50 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 UTC 先进技术，为客户提供平面条形和 DMOS 技术。该技术可实现极低的导通电阻和卓越的开关性能，还能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N50G-TN3-R
- 商品编号
- C5310420
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |