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4N60G-TN3-R
功率 MOSFET，4.0A、600V N沟道
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- 描述
- UTC 4N60是一款高压功率MOSFET，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用中。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N60G-TN3-R
- 商品编号
- C5310421
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-背光源
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