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15N06G-TN3-R
15A、60V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 15N06G-TN3-R
- 商品编号
- C5310412
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49776克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 136pF |
商品概述
UTC 18N50是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用UTC先进的平面条形和DMOS技术，性能卓越。 该技术可承受雪崩和换向模式下的高能脉冲，能提供极小的导通电阻和高开关速度。 该器件通常应用于有源功率因数校正和高效开关模式电源。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 9.0A条件下，RDS(ON) ≤ 0.32 Ω
- 高开关速度
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 有源功率因数校正
- 高效开关模式电源