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2NM65G-TN3-R
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- UTC 2NM65 是一款超结 MOSFET 结构器件。它采用 UTC 先进的平面条纹 DMOS 技术，为客户提供出色的开关性能和极低的导通电阻。UTC 2NM65 广泛应用于基于半桥拓扑的电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正等领域
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2NM65G-TN3-R
- 商品编号
- C5310416
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.52Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
UTC 4N60K是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 1.0A条件下,RDS(ON) ≤ 2.52Ω
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力,具有高耐用性
应用领域
-基于半桥拓扑的电子灯镇流器-高效开关模式电源-有源功率因数校正