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2NM65G-TN3-R
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- UTC 2NM65 是一款超结 MOSFET 结构器件。它采用 UTC 先进的平面条纹 DMOS 技术，为客户提供出色的开关性能和极低的导通电阻。UTC 2NM65 广泛应用于基于半桥拓扑的电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正等领域
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2NM65G-TN3-R
- 商品编号
- C5310416
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.52Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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