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3N100G-TN3-R
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 3N100-C 具备出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低栅极电压下工作。该器件适用于作负载开关或用于脉冲宽度调制（PWM）应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 3N100G-TN3-R
- 商品编号
- C5310418
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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