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3N100G-TN3-R
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 3N100-C 具备出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低栅极电压下工作。该器件适用于作负载开关或用于脉冲宽度调制（PWM）应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 3N100G-TN3-R
- 商品编号
- C5310418
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
5N50-P是一款采用先进技术的N沟道功率MOSFET，为客户提供DMOS平面条形技术。该技术旨在满足最低导通电阻和出色开关性能的要求。它还能在雪崩和通信模式下承受高能脉冲。 5N50-P可应用于有源功率因数校正、高效开关模式电源、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等领域。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 1.5A 条件下,RDS(ON) ≤ 5.5Ω
- 低反向传输电容
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了 dv/dt 能力,具有高耐用性
应用领域
- 有源功率因数校正
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的电子灯镇流器