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2N60G-TN3-R
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 是一款高压功率MOSFET，具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC-DC转换器和桥接电路中的高速开关应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2N60G-TN3-R
- 商品编号
- C5310415
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
UTC 11N40-ML 是一款高压功率 MOSFET，采用先进的沟槽 MOSFET 设计，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 当 VGS = 10V、ID = 5.5A 时，RDS(ON) ≤ 0.55 Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善 dv/dt 能力，高抗扰性
应用领域
- 开关电源的高速开关应用
- 适配器