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5N50G-TF1-T
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 5N50 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用了 UTC 的先进技术，为客户提供 DMOS 平面条形技术。该技术旨在满足最低导通电阻和出色开关性能的要求。它还能在雪崩和通信模式下承受高能脉冲
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 5N50G-TF1-T
- 商品编号
- C5310403
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
UTC 5N50是一款N沟道功率MOSFET，采用先进技术为客户提供DMOS平面条形技术。该技术旨在满足最低导通电阻和出色开关性能的要求。它还能在雪崩和通信模式下承受高能脉冲。 UTC 5N50可用于诸如有源功率因数校正、高效开关模式电源、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2.5 A条件下,RDS(ON) < 1.4Ω
- 100%雪崩测试
- 高开关速度
应用领域
-有源功率因数校正-高效开关模式电源-基于半桥拓扑的电子灯镇流器