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30NM90L-T47-T
1个N沟道 耐压:900V 电流:30A
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- 描述
- UTC 30NM90-Q 是一款超结 MOSFET 结构器件，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 30NM90L-T47-T
- 商品编号
- C5310406
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF@50V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
AGM425MC将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器