温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N65G-TM3-T
2A、650V N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- UTC 2N65 是一款高压功率 MOSFET，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC - DC 转换器和桥式电路等高速开关应用中。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2N65G-TM3-T
- 商品编号
- C5310407
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.5 mΩ（典型值）
- 高正向传输导纳：|Y_fs| = 135 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 75 V）
- 增强型：V_th = 2.0 ~ 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
- 计算机
- 个人设备
- 办公设备
- 测量设备
- 工业机器人
- 家用电器