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20N60L-TF2-T
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- UTC 20N60-HCQ 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进技术，为客户提供出色的导通电阻（Rₒₙ）、高开关速度、大电流承载能力和低栅极电荷。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 20N60L-TF2-T
- 商品编号
- C5310405
- 商品封装
- TO-220F2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.905nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
UTC 21NM60 是一款超结 MOSFET 结构器件，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 10.5A 条件下，RDS(ON) ≤ 0.19Ω
- 高开关速度
- 经过 100% 雪崩测试