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20N60L-TF2-T
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- UTC 20N60-HCQ 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进技术，为客户提供出色的导通电阻（Rₒₙ）、高开关速度、大电流承载能力和低栅极电荷。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 20N60L-TF2-T
- 商品编号
- C5310405
- 商品封装
- TO-220F2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.905nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
UTC 20N60-HCQ是一款N沟道增强型MOSFET,采用UTC先进技术,为客户提供理想的RDS(ON)、高开关速度、高电流容量和低栅极电荷。 UTC 20N60-HCQ广泛应用于低电压领域,如汽车、AC/DC转换器的高效开关和直流电机控制等。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 0.5 Ω @ VGS = 10V,ID = 10A
- 高开关速度
应用领域
-汽车-AC/DC转换器的高效开关-直流电机控制