温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
4N60KL-TF1-T
4.0A、600V N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- UTC 4N60K 是一款高压功率 MOSFET，其设计具备更优特性，如开关时间快、栅极电荷低、导通电阻低，且具有高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC - DC 转换器和桥接电路等高速开关应用中。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N60KL-TF1-T
- 商品编号
- C5310401
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
UTC 10N65 是一款高压大电流功率 MOSFET，具备快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性等优良特性。该功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC - DC 转换器和桥式电路等高速开关应用。
商品特性
- RDS(ON) < 0.86 Ω@VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值 44 nC）
- 低 Crss（典型值 18 pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 电源
- PWM 电机控制
- 高效 DC - DC 转换器
- 桥式电路