我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
18N65L-TF1-T实物图
  • 18N65L-TF1-T商品缩略图
  • 18N65L-TF1-T商品缩略图
  • 18N65L-TF1-T商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

18N65L-TF1-T

N沟道功率MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
UTC 18N65-ML 是一款高压功率 MOSFET,采用先进的沟槽式 MOSFET 设计,具备更优特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
18N65L-TF1-T
商品编号
C5310398
商品封装
TO-220F1​
包装方式
管装
商品毛重
2.382克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))430mΩ@10V,9A
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)3.2nF@25V
反向传输电容(Crss)12pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)262pF

商品概述

UTC 12NM80 是一款超结 MOSFET 结构器件,旨在具备更优特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。

商品特性

  • 在 VGS = 10V、ID = 6.0A 条件下,RDS(ON) ≤ 0.42Ω
  • 快速开关能力
  • 经过雪崩能量测试
  • 改善的 dv/dt 能力,高抗扰性

数据手册PDF