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10N65L-TF1-T
10A、650V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 10N65是一款高压大电流功率MOSFET，其设计具有更优异的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩击穿电压。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥式电路中的高速开关应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 10N65L-TF1-T
- 商品编号
- C5310390
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 860mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 166pF |
商品概述
UTC 14N65-MH 是一款高压功率 MOSFET，采用先进的沟槽 MOSFET 设计，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- RDS(ON) < 0.86 Ω@VGS = 10 V
- 低栅极电荷(典型值 44 nC)
- 低 Crss(典型值 18 pF)
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 电源
- PWM 电机控制
- 高效 DC - DC 转换器
- 桥式电路