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12N65L-TF1-T
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- UTC 12N65 是 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 UTC 专有的平面条形和 DMOS 技术制造。这些器件适用于高效开关模式电源。为了最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲，专门采用了先进技术
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 12N65L-TF1-T
- 商品编号
- C5310394
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺，以提供低漏源导通电阻（RDS(on)），并确保最小的功率损耗和散热。典型应用包括便携式和电池供电产品（如计算机、打印机和PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）中的DC-DC转换器和电源管理。
商品特性
- RDS(ON) \leq 0.85 Ω(VGS = 10V,ID = 6.0A 时)
- 超低栅极电荷(典型值 42 nC)
- 低反向传输电容(CRSS = 典型值 25 pF)
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了 dv/dt 能力,高耐用性
应用领域
-DC-DC转换器-便携式和电池供电产品的电源管理-计算机-打印机-PCMCIA卡-移动电话和无绳电话