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10N90L-TF1-T
900V 10A
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- 描述
- 是一款高压功率MOSFET，结合了先进的沟槽MOSFET设计，具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 10N90L-TF1-T
- 商品编号
- C5310392
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度工艺。低导通电阻RDS(on)可确保最小的功率损耗并节约能源，使该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括低电压应用、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机和PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）的电源管理。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，可提高效率并延长电池寿命
- 低热阻铜引脚框架SOT - 23封装，节省电路板空间
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术
- 符合RoHS、无铅、无卤标准
应用领域
- 低电压应用
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机和PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）的电源管理