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18NM65L-TA3-T
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
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- 描述
- 是高压超结MOSFET，设计具有更好的特性。采用先进的电荷平衡技术，提高系统效率，改善电磁干扰和可靠性，如低栅极电荷、低导通电阻，具有高功率密度和高抗雪崩特性。通常用于AC/DC电源转换和工业电源应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 18NM65L-TA3-T
- 商品编号
- C5310384
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.115nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品特性
- 沟道功率低压MOSFET技术
- 用于低漏源导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理