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2N7002ZG-AE2-R
N沟道增强型功率MOSFET，300mA，60V
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- 描述
- 使用先进技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该产品适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2N7002ZG-AE2-R
- 商品编号
- C5310367
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
UTC 2N7002Z采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 低反向传输电容
- 静电放电保护
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高耐用性