2SK3666G-3-AE3-R
1个N沟道
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- 描述
- UTC 2SK3666 是一个N沟道结型硅FET,使用UTC的先进技术提供低IGss和低CRss。适用于低频通用放大器、阻抗转换和红外传感器应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2SK3666G-3-AE3-R
- 商品编号
- C5310366
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 270Ω | |
| 输入电容(Ciss) | 4pF@10V |
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