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03N60G-AE3-R
0.3A,600V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 是一种高压功率MOSFET，具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路中的高速开关应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 03N60G-AE3-R
- 商品编号
- C5310361
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
GT60N12采用先进技术，可提供低漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专门设计用于获得更好的耐用性，适用于电机控制应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：120V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = 10V时）：60A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）：<14mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器