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STP65N150M9
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 650 V、128 mOhm（典型值）、20 A MDmesh M9 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP65N150M9
- 商品编号
- C5268777
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.919克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 128mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh M9技术,适用于每单位面积导通电阻(RDS(on))极低的中/高压MOSFET。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺,可优化器件结构。在所有基于硅的快速开关超结功率MOSFET中,该产品的导通电阻和栅极电荷值较低,特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 在基于硅的器件中,具备全球最佳的品质因数RDS(on)*Qg
- 更高的漏源极击穿电压(VDSS)额定值
- 更高的电压变化率(dv/dt)能力
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
-高效开关应用