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STB80NF55-08AG实物图
  • STB80NF55-08AG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STB80NF55-08AG

耐压:55V 电流:80A

描述
汽车级N沟道55 V、6.5 mOhm典型值、80 A STripFET功率MOSFET,D2PAK封装
商品型号
STB80NF55-08AG
商品编号
C5269555
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)80A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)300W

商品概述

该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的 RDS(on)。

商品特性

  • 通过AEC-Q101认证
  • 极低的导通电阻
  • 极低的栅极电荷
  • 高雪崩耐量
  • 低栅极驱动功率损耗

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF