STB80NF55-08AG
耐压:55V 电流:80A
- 描述
- 汽车级N沟道55 V、6.5 mOhm典型值、80 A STripFET功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB80NF55-08AG
- 商品编号
- C5269555
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的 RDS(on)。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用