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STS5DNF60L
2个N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 双路N沟道60V - 0.045Y - 4A - SO-8 STripFET 功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS5DNF60L
- 商品编号
- C5269560
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
这款功率MOSFET采用了独特的“单一特征尺寸”条形工艺，是该工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻，具备坚固的雪崩特性，且光刻对准步骤要求较低，因此具有出色的制造可重复性。
商品特性
- 通过AEC - Q101认证
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
-开关应用