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SD4931
N沟道 200V 20A
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- 描述
- 150W - 50V高稳定性HF/VHF DMOS晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SD4931
- 商品编号
- C5269657
- 商品封装
- M174
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 10.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 389W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh M9技术，适用于每单位面积导通电阻（RDS(on)）极低的中/高压MOSFET。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，可实现更优化的器件结构。在所有基于硅的快速开关超结功率MOSFET中，该产品的导通电阻和栅极电荷值均处于较低水平，特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 在基于硅的器件中，具备全球领先的品质因数RDS(on)*Qg
- 更高的漏源击穿电压（VDSS）额定值
- 更高的电压变化率（dv/dt）能力
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 高效开关应用