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STL52DN4LF7AG
耐压:40V 电流:18A
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- 描述
- 汽车级双路N沟道40 V、9 mOhm典型值、18 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL52DN4LF7AG
- 商品编号
- C5271109
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.288克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它能确保极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- MSL1等级
- 工作温度达175 °C
- 100%雪崩测试
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用