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PD54008L-E
1个N沟道 耐压:25V 电流:5A
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- 描述
- RF功率LDMOS晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD54008L-E
- 商品编号
- C5271142
- 商品封装
- PowerFLAT-5x5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 26.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 80pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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