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STL4P3LLH6
耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、4 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL4P3LLH6
- 商品编号
- C5271136
- 商品封装
- PowerFLAT(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 639pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用STripFET™ F3技术开发的双N沟道功率MOSFET。其旨在将导通电阻和栅极电荷降至最低，以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 逻辑电平栅源阈值电压（VGS(th)）
- 结温可达175 °C
- 100%雪崩额定
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用