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STLD200N4F6AG
耐压:40V 电流:120A
- 描述
- 汽车级N沟道40 V、1.27 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双侧冷却封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STLD200N4F6AG
- 商品编号
- C5271138
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 158W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC@32V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh™ DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷Qrr和恢复时间trr，同时导通电阻RDS(on)较低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用