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STLD200N4F6AG
耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 汽车级N沟道40 V、1.27 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双侧冷却封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STLD200N4F6AG
- 商品编号
- C5271138
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC@32V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.53nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
-专为汽车应用设计-极低的导通电阻-极低的栅极电荷-高雪崩耐量-低栅极驱动功率损耗
应用领域
-开关应用
- STLD125N4F6AG
- STL7DN6LF3
- PD54008L-E
- XQEBLU-H0-0000-000000Z01
- IQS550BLQNR
- C43Q1273M6SC000
- C43Q1333K6SC000
- C823A104K90C000
- C823C683JB0C000
- C823D183J90C000
- C4BR2225MB0C000
- C4BR2106KF0C000
- C42Q2155K9SC000
- C42Q2683K6WC000
- C352S105J60C000
- C352J474K9AC000
- C3D1U106kB00C00
- C3D1U147JM0AC00
- C3D1M205JB00C00
- C3D1M106JF02C00
- C45S1394K9SC000