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STL7DN6LF3
耐压:60V 电流:6.5A
- 描述
- 汽车级双路N沟道60 V、35 mOhm典型值、6.5 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL7DN6LF3
- 商品编号
- C5271141
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 432pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
GC11N65M采用先进的超结技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和高效运行。该器件适用于工业AC-DC开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换以及工业电源应用需求。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 逻辑电平 VGS(th)
- 结温175 °C
- 100%雪崩测试
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用
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