温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL66N3LLH5
耐压:30V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 汽车级N沟道30 V、4.5 mOhm典型值、80 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL66N3LLH5
- 商品编号
- C5271120
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用意法半导体(STMicroelectronics)的STripFETTM H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,实现了极低的导通电阻,其品质因数(FoM)在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 低导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- 可焊侧翼封装
应用领域
-开关应用