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STL66N3LLH5
耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 汽车级N沟道30 V、4.5 mOhm典型值、80 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL66N3LLH5
- 商品编号
- C5271120
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V,10.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SI2301-ZE采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -2.3A
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 140 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 162 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT-23
- P沟道MOSFET