温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL24N60DM2
耐压:600V 电流:15A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道600 V、0.195 Ohm典型值、15 A MDmesh DM2功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL24N60DM2
- 商品编号
- C5271125
- 商品封装
- PowerFLAT(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmeshTM DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷(Qrr)和恢复时间(trr),同时导通电阻(RDS(on))较低,适用于要求极高的高效转换器,是桥式拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用