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STL56N3LLH5
N沟道 耐压:30V 电流:56A
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- 描述
- N沟道30 V、0.0076 Ohm典型值、56 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL56N3LLH5
- 商品编号
- C5271121
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
全新的MDmesh™ M6技术融合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新的M6技术，在MDmesh前代产品的基础上进行升级，该技术将出色的单位面积导通态漏源电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，同时为用户带来友好体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比，单位面积导通态漏源电阻（RDS(on)）更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器