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STL140N4F7AG
耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 汽车级N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL140N4F7AG
- 商品编号
- C5271113
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SD57030是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管，专为频率高达1.0 GHz的宽带商业和工业应用而设计。SD57030旨在以28 V的共源极模式运行，实现高增益和宽带性能。它非常适合需要高线性度的基站应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用