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STL325N4LF8AG
耐压:40V 电流:373A
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- 描述
- 汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mOhm、373 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL325N4LF8AG
- 商品编号
- C5271114
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 373A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 7.657nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
ST9045C是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管，专为频率高达1.5 GHz的宽带商业和工业应用而设计。ST9045C旨在以28 V的共源极模式运行时实现高增益和宽带性能。它非常适合需要高线性度的基站应用。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在945 MHz下，P_OUT（@28 V） = 45 W，增益为18.5 dB
- 无氧化铍封装
- 符合欧洲指令2002/95/EC