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PD55003S-E
1个N沟道 耐压:40V 电流:2.5A
- 描述
- 3W 12.5V 500MHz LDMOS，PowerSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD55003S-E
- 商品编号
- C5269716
- 商品封装
- PowerSO-10RF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 31.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
PD55003-E是一款共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带的商业和工业应用而设计。在共源模式下,它可在12V电压、最高1GHz的频率下工作。得益于意法半导体(ST)最新的LDMOS技术,并采用首款真正的贴片式(SMD)塑料射频功率封装PowerSO-10RF,PD55003具有出色的增益、线性度和可靠性。 PD55003卓越的线性度性能使其成为汽车移动无线电的理想解决方案。 PowerSO-10RF塑料封装专为高可靠性而设计,是意法半导体首款获得JEDEC认证的高功率贴片式封装。它针对射频需求进行了优化,具备出色的射频性能,且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源配置
- 在500MHz/12.5V条件下,输出功率(POUT)为3W,增益为17dB
应用领域
- 开关应用